Samsung запустила массовое производство памяти HBM4 — новый стандарт для дата‑центров
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства и поставок памяти HBM4 — следующего поколения высокопроизводительной памяти, которая станет основой для мощных чипов дата‑центров, включая решения NVIDIA (Vera Rubin) и AMD (Instinct MI450 серии). Это первый в отрасли выход на рынок с HBM4, закрепляющий лидерство Samsung в сегменте передовой памяти.
Новая память устанавливает высокие стандарты скорости, ёмкости и энергоэффективности:
- Скорость передачи данных: стабильная работа на уровне 11,7 Гбит/с, с возможностью повышения до 13 Гбит/с (на 46 % выше отраслевого стандарта 8 Гбит/с и на 22 % быстрее предшественника HBM3E).
- Пропускная способность: до 3,3 ТБ/с на стек — в 2,7 раза больше, чем у HBM3E.
- Ёмкость:
- 24–36 ГБ при 12‑слойной компоновке;
- до 48 ГБ при 16‑слойной компоновке.
- Интерфейс: 2048 контактов ввода‑вывода (вдвое больше, чем у предыдущих поколений).
- Энергоэффективность: улучшение на 40 % за счёт низковольтной технологии TSV (through silicon via) и оптимизации сети распределения питания.
- Тепловые характеристики:
- на 10 % выше термостойкость по сравнению с HBM3E;
- на 30 % эффективнее рассеивание тепла.
Компания прогнозирует более чем трёхкратный рост продаж HBM в 2026 году по сравнению с 2025 годом и активно наращивает производственные мощности. Уже во втором полугодии 2026 года планируется начать отбор образцов HBM4E, а в 2027 году клиенты получат индивидуальные образцы HBM согласно их техническим требованиям.
Samsung также намерена углубить партнёрские отношения с ведущими производителями GPU и гиперскейлерами в рамках разработки ASIC следующего поколения. Выход HBM4 не просто устанавливает новые стандарты производительности — он обеспечивает надёжную цепочку поставок в условиях ожидаемого роста спроса на передовую память для дата‑центров, где критически важны высокая пропускная способность, энергоэффективность и эффективное управление тепловыделением.
